Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC847BM3T5G
BC847BM3T5G

BC847BM3T5G ON Semiconductor

bc847bm3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC847BM3T5G за ціною від 2.53 грн до 24.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : onsemi bc847bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.60 грн
16000+3.15 грн
24000+2.99 грн
40000+2.63 грн
56000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.75 грн
16000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.29 грн
250+8.87 грн
1000+4.82 грн
4000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ONSEMI bc847bm3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.22 грн
35+11.51 грн
53+7.64 грн
100+6.34 грн
250+5.02 грн
500+4.28 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : onsemi bc847bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 61828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.92 грн
27+11.91 грн
100+7.43 грн
500+5.13 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ONSEMI bc847bm3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.66 грн
21+14.34 грн
50+9.17 грн
100+7.61 грн
250+6.02 грн
500+5.13 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : onsemi BC847BM3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
на замовлення 54897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.57 грн
27+13.15 грн
100+7.14 грн
500+5.29 грн
1000+4.14 грн
5000+3.38 грн
8000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+23.07 грн
61+14.29 грн
250+8.87 грн
1000+4.82 грн
4000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.28 грн
47+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.