Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC847BM3T5G
BC847BM3T5G

BC847BM3T5G ON Semiconductor

bc847bm3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 260mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC847BM3T5G за ціною від 3.33 грн до 25.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.52 грн
250+7.30 грн
1000+5.58 грн
4000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI BC847BM3-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
33+12.60 грн
50+8.66 грн
100+7.30 грн
250+5.89 грн
500+5.06 грн
1000+4.40 грн
2500+3.72 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G onsemi BC847BM3-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.72 грн
100+7.29 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
2000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.41 грн
95+8.52 грн
250+7.30 грн
1000+5.58 грн
4000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G onsemi BC847BM3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.91 грн
19+16.87 грн
100+9.30 грн
500+5.85 грн
1000+5.17 грн
2500+4.48 грн
5000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.66 грн
44+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G bc847bm3-d.pdf
BC847BM3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.52 грн
250+7.30 грн
1000+5.58 грн
4000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3-D.PDF
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+18.75 грн
33+12.60 грн
50+8.66 грн
100+7.30 грн
250+5.89 грн
500+5.06 грн
1000+4.40 грн
2500+3.72 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3-D.PDF
BC847BM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.15 грн
26+11.72 грн
100+7.29 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
2000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+20.41 грн
95+8.52 грн
250+7.30 грн
1000+5.58 грн
4000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3-D.PDF
BC847BM3T5G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.91 грн
19+16.87 грн
100+9.30 грн
500+5.85 грн
1000+5.17 грн
2500+4.48 грн
5000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G bc847bm3-d.pdf
BC847BM3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+25.66 грн
44+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.