Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC847BM3T5G
BC847BM3T5G

BC847BM3T5G ON Semiconductor

bc847bm3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 260mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC847BM3T5G за ціною від 3.28 грн до 27.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI BC847BM3-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
29+14.90 грн
50+9.97 грн
100+8.37 грн
250+6.74 грн
500+5.81 грн
1000+5.07 грн
2500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.40 грн
44+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G onsemi BC847BM3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G bc847bm3-d.pdf
BC847BM3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3-D.PDF
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
29+14.90 грн
50+9.97 грн
100+8.37 грн
250+6.74 грн
500+5.81 грн
1000+5.07 грн
2500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G bc847bm3-d.pdf
BC847BM3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.40 грн
44+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3-D.PDF
BC847BM3T5G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G bc847bm3-d.pdf
BC847BM3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.