Технічний опис BC847BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 260mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC847BM3T5G за ціною від 3.01 грн до 27.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BM3T5G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BM3T5G | onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 260 mW |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BM3T5G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.26W Case: SOT723 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 4215 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BM3T5G | onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 260 mW |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BM3T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON |
на замовлення 13295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BC847BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BC847BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BC847BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.28 грн |
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.45 грн |
| 16000+ | 3.01 грн |
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 18.92 грн |
| 33+ | 12.72 грн |
| 50+ | 8.74 грн |
| 100+ | 7.37 грн |
| 250+ | 5.94 грн |
| 500+ | 5.10 грн |
| 1000+ | 4.44 грн |
| 2500+ | 3.76 грн |
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.33 грн |
| 25+ | 12.05 грн |
| 100+ | 7.53 грн |
| 500+ | 5.20 грн |
| 1000+ | 4.60 грн |
| 2000+ | 4.09 грн |
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.40 грн |
| 44+ | 17.22 грн |
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
на замовлення 13295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847BM3T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)