BC847BPDW1T2G

BC847BPDW1T2G ON Semiconductor


bc846bpdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BPDW1T2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC847BPDW1T2G за ціною від 1.71 грн до 16.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.85 грн
6000+2.45 грн
9000+2.30 грн
15000+2.00 грн
21000+1.91 грн
30000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.26 грн
1500+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.19 грн
44+9.38 грн
50+8.25 грн
72+5.64 грн
100+4.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 55971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.28 грн
39+8.41 грн
100+5.20 грн
500+3.55 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.63 грн
26+11.69 грн
30+9.90 грн
50+6.77 грн
100+5.71 грн
500+3.90 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : onsemi BC846BPDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA DUAL
на замовлення 21793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.58 грн
39+9.20 грн
100+5.05 грн
500+3.65 грн
1000+3.18 грн
3000+2.64 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.72 грн
87+10.02 грн
140+6.25 грн
500+4.26 грн
1500+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.