BC847BPDW1T2G ON Semiconductor


bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7854+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BPDW1T2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції BC847BPDW1T2G за ціною від 1.80 грн до 14.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+2.40 грн
419+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.73 грн
117+6.91 грн
171+4.70 грн
500+3.28 грн
1500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.73 грн
117+6.91 грн
171+4.70 грн
500+3.28 грн
1500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.39 грн
49+8.62 грн
72+5.84 грн
100+4.91 грн
500+3.41 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 25569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
38+8.06 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA DUAL
на замовлення 17888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.55 грн
39+8.32 грн
100+4.48 грн
500+3.93 грн
1000+3.44 грн
3000+2.62 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
314+2.40 грн
419+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.59 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G 2140520.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
69+11.73 грн
117+6.91 грн
171+4.70 грн
500+3.28 грн
1500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G 2140520.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.73 грн
117+6.91 грн
171+4.70 грн
500+3.28 грн
1500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.39 грн
49+8.62 грн
72+5.84 грн
100+4.91 грн
500+3.41 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 25569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+13.95 грн
38+8.06 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA DUAL
на замовлення 17888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.55 грн
39+8.32 грн
100+4.48 грн
500+3.93 грн
1000+3.44 грн
3000+2.62 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.