Інші пропозиції BC847BPDXV6T1G за ціною від 4.78 грн до 30.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON |
08+ QFP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |