BC847BPDXV6T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.39 грн |
| 8000+ | 5.94 грн |
| 12000+ | 5.88 грн |
| 20000+ | 5.56 грн |
| 28000+ | 5.12 грн |
| 40000+ | 4.74 грн |
| 100000+ | 4.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BPDXV6T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 500mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC847BPDXV6T1G за ціною від 4.77 грн до 30.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 23940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 23940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON |
08+ QFP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G Код товару: 126352
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Транзисторні збірки |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BC847BPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC847BPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |