Інші пропозиції BC847BPDXV6T1G за ціною від 5.59 грн до 40.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 500mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 20870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BC847BPDXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 500mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 20870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC847BPDXV6T1G | ON |
08+ QFP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.87 грн |
| 8000+ | 5.59 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.93 грн |
| 8000+ | 5.64 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.07 грн |
| 8000+ | 6.30 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.07 грн |
| 8000+ | 6.30 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 589+ | 24.00 грн |
| 912+ | 15.48 грн |
| 1233+ | 11.45 грн |
| 1401+ | 9.72 грн |
| 2000+ | 8.32 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.06 грн |
| 18+ | 17.60 грн |
| 100+ | 11.11 грн |
| 500+ | 7.77 грн |
| 1000+ | 6.91 грн |
| 2000+ | 6.19 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.46 грн |
| 32+ | 24.00 грн |
| 100+ | 15.48 грн |
| 500+ | 11.04 грн |
| 1000+ | 9.00 грн |
| 2000+ | 7.98 грн |
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 500mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 500mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 20870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 500mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 500mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 20870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847BPDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON
08+ QFP
08+ QFP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





