BC847BQB-QZ

BC847BQB-QZ Nexperia


BC847XQB-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC847BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.43 грн
25+13.62 грн
100+6.69 грн
1000+3.38 грн
5000+2.43 грн
10000+2.13 грн
50000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BQB-QZ Nexperia

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC847BQB-QZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQB-Q_SER.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.