BC847BQB-QZ Nexperia
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6579+ | 4.70 грн |
| 10000+ | 4.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BQB-QZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC847BQB-QZ за ціною від 2.26 грн до 18.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BQB-QZ | Виробник : Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS |
на замовлення 9932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BQB-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BQB-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |