BC847BQBZ

BC847BQBZ Nexperia


bc847xqb_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 18992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11195+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 11195
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BQBZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC847BQBZ за ціною від 1.91 грн до 18.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BQBZ BC847BQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.80 грн
10000+2.42 грн
15000+2.28 грн
25000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BQBZ BC847BQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
35+8.87 грн
100+5.52 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
2000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BQBZ BC847BQBZ Виробник : Nexperia BC847XQB_SER-1729299.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847BQB/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 13513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.32 грн
27+12.58 грн
100+4.48 грн
1000+2.72 грн
5000+2.42 грн
10000+2.05 грн
25000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BQBZ BC847BQBZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009581597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BQBZ BC847BQBZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009581597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BQBZ Виробник : NEXPERIA bc847xqb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BQBZ BC847BQBZ Виробник : Nexperia bc847xqb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.