Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BQBZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC847BQBZ за ціною від 5.93 грн до 19.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BQBZ | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BC847BQBZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BC847BQBZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BC847BQBZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor |
на замовлення 10052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BC847BQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847BQBZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.09 грн |
| 30+ | 10.17 грн |
| 50+ | 7.28 грн |
| 100+ | 5.93 грн |
| BC847BQBZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.15 грн |
| 10000+ | 18.96 грн |
| BC847BQBZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 19.15 грн |
| BC847BQBZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
на замовлення 10052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC847BQBZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)