| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15152+ | 2.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
15152 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BQBZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC847BQBZ за ціною від 19.04 грн до 19.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847BQBZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BC847BQBZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BC847BQBZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor |
на замовлення 10052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| BC847BQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847BQBZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.23 грн |
| 10000+ | 19.04 грн |
| BC847BQBZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 19.23 грн |
| BC847BQBZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
на замовлення 10052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC847BQBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




