Технічний опис BC847BQBZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC847BQBZ за ціною від 2.15 грн до 21.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BQBZ | Виробник : Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor |
на замовлення 10052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC847BQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847BQBZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BC847BQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC847BQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |