
BC847BT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 396196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2983+ | 4.09 грн |
3145+ | 3.88 грн |
6000+ | 3.63 грн |
12000+ | 3.29 грн |
24000+ | 2.87 грн |
96000+ | 2.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC847BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847BT116 за ціною від 1.49 грн до 24.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC847BT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BC847BT116 Код товару: 210366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |