Продукція > ROHM > BC847BU3HZGT106
BC847BU3HZGT106

BC847BU3HZGT106 ROHM


bc847bu3hzgt106-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.87 грн
500+6.91 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BU3HZGT106 ROHM

Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC847BU3HZGT106 за ціною від 3.71 грн до 22.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BC847BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BJT NPN 45V 100MA GPT
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.33 грн
28+11.70 грн
100+7.63 грн
500+5.71 грн
1000+4.40 грн
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC847BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.88 грн
25+12.22 грн
100+7.60 грн
500+5.25 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : ROHM bc847bu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.50 грн
61+13.24 грн
100+9.87 грн
500+6.91 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc847bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1316+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 1316
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc847bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc847bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC847BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.