BC847BU3HZGT106

BC847BU3HZGT106 Rohm Semiconductor


bc847bu3hzgt106-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2280+5.34 грн
2500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 2280
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC847BU3HZGT106 за ціною від 2.86 грн до 21.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : ROHM bc847bu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.76 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc847bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1570+7.76 грн
1588+7.67 грн
1596+7.63 грн
2000+6.32 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 1570
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BC847BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN General purpose transistor (AEC-Q101 Qualified). BC847BU3HZG is a transistor for audio frequency small signal amplifier. Complementary is the BC857BU3 HZG
на замовлення 6836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.38 грн
27+12.83 грн
100+4.77 грн
1000+4.26 грн
3000+3.82 грн
9000+2.94 грн
24000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC847BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
25+12.54 грн
100+7.80 грн
500+5.39 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : ROHM bc847bu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.98 грн
61+13.50 грн
100+8.40 грн
500+5.76 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc847bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BU3HZGT106 BC847BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC847BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.