BC847BVN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.19 грн |
| 6000+ | 8.06 грн |
| 9000+ | 7.66 грн |
| 15000+ | 6.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BVN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC847BVN-7 за ціною від 7.04 грн до 56.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BVN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BVN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 15008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BVN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC847BVN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP. |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|