на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7673+ | 4.04 грн |
| 10000+ | 3.60 грн |
| 100000+ | 3.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847C/DG/B3,215 NXP Semiconductors
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC847C/DG/B3,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BC847C/DG/B3,215 | Виробник : NEXPERIA | 934066599215 |
товару немає в наявності |
||
 |
BC847C/DG/B3,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |