BC847C (транзистор біполярний NPN) NXP

Код товару: 1253
Виробник: NXPКорпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD

у наявності: 2121 шт
Технічний опис BC847C (транзистор біполярний NPN) NXP
Можливі заміни BC847C (транзистор біполярний NPN) NXP |
||||||||||||
BC847C 1G Код товару: 122698 |
Виробник: GTSEMIC Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 45 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A Монтаж: SMD |
57 шт - РАДІОМАГ-Київ 195 шт - РАДІОМАГ-Харків 192 шт - РАДІОМАГ-Одеса 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||
BC847C 1G Код товару: 122727 |
Виробник: Hottech Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 45 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A Монтаж: SMD |
4726 шт - склад Київ 211 шт - РАДІОМАГ-Київ 212 шт - РАДІОМАГ-Львів 51 шт - РАДІОМАГ-Харків 80 шт - РАДІОМАГ-Одеса 271 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції BC847C (транзистор біполярний NPN) за ціною від 0.55 грн до 22.57 грн
BC847C |
Виробник: Diotec Semiconductor Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; hFE = 520; Р, Вт = 0,25; Тексп, °C = -55...+150; SOT-23-3 ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 12479 шт ![]() термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: BC847C ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 123 шт ![]() термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY Material: BC847C-YAN NPN SMD transistors ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2975 шт ![]() термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: BC847C-DIO NPN SMD transistors ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 158425 шт ![]() термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Diotec Semiconductor Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN ![]() |
на замовлення 63375 шт ![]() термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: PHILIPS 02+ SOT-23 ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2190 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY Material: BC847C-YAN NPN SMD transistors ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2975 шт ![]() термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: BC847C-DIO NPN SMD transistors ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 158425 шт ![]() термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Diotec Semiconductor Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
на замовлення 903335 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Yangjie Electronic Technology NPN General Purpose Transistor ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 48000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Diotec Electronics Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
на замовлення 36000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 50V Transis Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 300000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Diotec Semiconductor Description: TRANS NPN 45V 100A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW ![]() |
на замовлення 3000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - BC847C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Verlustleistung: 250 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) ![]() |
на замовлення 39868 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: MDD Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW ![]() |
на замовлення 6000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - BC847C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125 DC-Stromverstärkung hFE: 125 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Multicomp Pro Transistors NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) ![]() |
на замовлення 39868 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: Diotec Semiconductor Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Strip Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW ![]() |
на замовлення 3116 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: OTOMO NPN 100mA 45V 200mW 300MHz 420 < beta < 800 Replacement for: BC847C,215, BC847C,235, BC847CLT1G, BC847CLT3G, BC847CE6327HTSA1, BC847C RFG, BC847C-7-F, BC847C-13-F, BC847C-TP BC847C OTOMO TBC847c OTO кількість в упаковці: 500 шт ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2500 шт ![]() термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847C |
Виробник: UMW NPN 100mA 45V 200mW 100MHz 420 < beta < 800 Replacement for: BC847C,215, BC847C,235, BC847CLT1G, BC847CLT3G, BC847CE6327HTSA1, BC847C RFG, BC847C-7-F, BC847C-13-F, BC847C-TP BC847C UMW TBC847c UMW ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3000 шт ![]() термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
BC857C Код товару: 2027 |
![]() |

Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
735 шт - РАДІОМАГ-КиївТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
1476 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення 619755 шт - ціна та термін постачання
|
Можливі заміни |
BC857C Код товару: 160575 |
BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873 |
![]() |

Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
19182 шт - склад КиївТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
712 шт - РАДІОМАГ-Київ
3964 шт - РАДІОМАГ-Львів
110 шт - РАДІОМАГ-Харків
906 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1012 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|
Можливі заміни |
BC817-40 Код товару: 160561 |
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD) Код товару: 1215 |
![]() |

Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
7870 шт - склад КиївSMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
3900 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
5629 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
40000 шт - очікується
|
47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1719 |
![]() |

Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
20000 шт - очікуєтьсяSMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
|
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Код товару: 52241 |
![]() |

Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
18329 шт - склад КиївКерамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
1641 шт - РАДІОМАГ-Київ
380 шт - РАДІОМАГ-Львів
464 шт - РАДІОМАГ-Харків
1870 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|