Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC847CDXV6T1G
BC847CDXV6T1G

BC847CDXV6T1G ON Semiconductor

bc847cdxv6t1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847CDXV6T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції BC847CDXV6T1G за ціною від 2.55 грн до 23.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ON Semiconductor bc847cdxv6t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ON Semiconductor bc847cdxv6t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2078+6.81 грн
2789+5.07 грн
3125+4.53 грн
3371+4.05 грн
4747+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 2078 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI BC847CDXV6T1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 420...800
Frequency: 100MHz
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.18 грн
44+9.45 грн
62+6.70 грн
100+5.83 грн
250+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G onsemi BC847CDXV6T1-D.PDF Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
30+10.00 грн
100+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ON Semiconductor bc847cdxv6t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.01 грн
80+9.52 грн
111+6.81 грн
500+4.89 грн
1000+4.04 грн
2000+3.60 грн
4000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G onsemi BC847CDXV6T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.47 грн
24+13.55 грн
100+7.23 грн
500+5.23 грн
1000+4.62 грн
2000+3.58 грн
4000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ON Semiconductor bc847cdxv6t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.70 грн
52+14.72 грн
100+9.18 грн
500+6.48 грн
1000+5.29 грн
2000+4.49 грн
4000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ON Semiconductor bc847cdxv6t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2078+6.81 грн
2789+5.07 грн
3125+4.53 грн
3371+4.05 грн
4747+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 2078 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1-D.PDF
BC847CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 420...800
Frequency: 100MHz
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
30+15.18 грн
44+9.45 грн
62+6.70 грн
100+5.83 грн
250+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1-D.PDF
BC847CDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.05 грн
30+10.00 грн
100+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+19.01 грн
80+9.52 грн
111+6.81 грн
500+4.89 грн
1000+4.04 грн
2000+3.60 грн
4000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1-D.PDF
BC847CDXV6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.47 грн
24+13.55 грн
100+7.23 грн
500+5.23 грн
1000+4.62 грн
2000+3.58 грн
4000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+23.70 грн
52+14.72 грн
100+9.18 грн
500+6.48 грн
1000+5.29 грн
2000+4.49 грн
4000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.