Технічний опис BC847CQAZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 280 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BC847CQAZ за ціною від 0.57 грн до 6.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847CQAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BC847CQAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BC847CQAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BC847CQAZ | NXP USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 280 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Bulk |
на замовлення 24340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BC847CQAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BC847CQAZ | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BC847CQAZ | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 6340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BC847CQAZ | NXP |
Description: NXP - BC847CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 0.57 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.89 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.90 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 280 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 280 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3877+ | 5.40 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 6.05 грн |
| 10000+ | 5.39 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 6.05 грн |
| 10000+ | 5.39 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 6.05 грн |
| BC847CQAZ |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - BC847CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - BC847CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




