BC847CQAZ Nexperia
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30000+ | 0.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847CQAZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC847CQAZ за ціною від 0.84 грн до 17.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847CQAZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847CQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847CQAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC847CQA/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 3428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847CQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC847CQAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC847CQAZ | Виробник : NXP |
Description: NXP - BC847CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BC847CQAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC847CQAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC847CQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |