Технічний опис BC847CQBZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 340 mW.
Інші пропозиції BC847CQBZ за ціною від 4.89 грн до 19.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847CQBZ | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BC847CQBZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC847CQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
на замовлення 23835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|