BC847CQC-QZ

BC847CQC-QZ NEXPERIA


BC847XQC-Q_SER.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.45 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847CQC-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC847CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC847CQC-QZ за ціною від 1.83 грн до 15.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847CQC-QZ BC847CQC-QZ Виробник : NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.23 грн
143+5.76 грн
286+2.88 грн
500+2.45 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQC-QZ BC847CQC-QZ Виробник : Nexperia BC847XQC-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 13755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.64 грн
36+9.54 грн
100+3.67 грн
1000+3.01 грн
5000+2.20 грн
10000+1.98 грн
25000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQC-QZ BC847CQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
34+9.17 грн
100+5.46 грн
500+3.69 грн
1000+3.24 грн
2000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQC-QZ BC847CQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.