BC847CQC-QZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 16.11 грн |
| 35+ | 9.47 грн |
| 100+ | 5.89 грн |
| 500+ | 4.04 грн |
| 1000+ | 3.56 грн |
| 2000+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847CQC-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC847CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC847CQC-QZ за ціною від 6.82 грн до 24.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847CQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS |
на замовлення 12455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847CQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847xQC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
BC847CQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847xQC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BC847CQC-QZ | Виробник : Nexperia |
BC847CQC-QZ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
BC847CQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |

