BC847CT116 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2052+ | 6.89 грн |
| 2500+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847CT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC847CT116 за ціною від 7.18 грн до 30.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847CT116 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BC847CT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BC847CT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 1MA |
на замовлення 4426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BC847CT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BC847CT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BC847CT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BC847CT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BC847CT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 218 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847CT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 23.75 грн |
| 100+ | 15.09 грн |
| 500+ | 11.29 грн |
| BC847CT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.92 грн |
| 17+ | 18.25 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| 500+ | 8.07 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |
| BC847CT116 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 1MA
Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 1MA
на замовлення 4426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC847CT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847CT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847CT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847CT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847CT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)