BC847CW/DG/B2,115 NXP Semiconductors


Виробник: NXP Semiconductors
BC847CW/DG/B2,115
на замовлення 91120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11195+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 11195
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847CW/DG/B2,115 NXP Semiconductors

Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції BC847CW/DG/B2,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847CW/DG/B2,115 BC847CW/DG/B2,115 Виробник : Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.