Продукція > DIODES ZETEX > BC847PNQ-7-F
BC847PNQ-7-F

BC847PNQ-7-F Diodes Zetex

224ds30278.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4156+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 4156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847PNQ-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847PNQ-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції BC847PNQ-7-F за ціною від 2.44 грн до 21.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC847PNQ-7-F BC847PNQ-7-F Diodes Incorporated BC847PNQ.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1695000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
6000+3.93 грн
9000+3.71 грн
15000+3.24 грн
21000+3.10 грн
30000+2.97 грн
75000+2.62 грн
150000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ-7-F Diodes Incorporated BC847PNQ.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1695392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.65 грн
24+12.88 грн
100+8.03 грн
500+5.56 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ-7-F Diodes Incorporated BC847PNQ.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0002497942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847PNQ-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0002497942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847PNQ-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ.pdf
BC847PNQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1695000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.54 грн
6000+3.93 грн
9000+3.71 грн
15000+3.24 грн
21000+3.10 грн
30000+2.97 грн
75000+2.62 грн
150000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ.pdf
BC847PNQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1695392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.65 грн
24+12.88 грн
100+8.03 грн
500+5.56 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F BC847PNQ.pdf
BC847PNQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F DIOD-S-A0002497942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847PNQ-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847PNQ-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNQ-7-F DIOD-S-A0002497942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847PNQ-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847PNQ-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.