BC847QAPNZ Nexperia
на замовлення 455000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25000+ | 2.51 грн |
| 50000+ | 2.31 грн |
| 125000+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847QAPNZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 350mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: 350mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847QAPNZ за ціною від 1.90 грн до 21.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847QAPNZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose transistor |
на замовлення 71137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BC847QAPNZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Виробник : NEXPERIA |
BC847QAPNZ Complementary transistors |
товару немає в наявності |