BC847QAPNZ Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25000+ | 3.14 грн |
| 50000+ | 2.89 грн |
| 125000+ | 2.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847QAPNZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 350mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 350mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC847QAPNZ за ціною від 2.38 грн до 4.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847QAPNZ | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BC847QAPNZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT |
на замовлення 47757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BC847QAPNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BC847QAPNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847QAPNZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 455000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 3.82 грн |
| 10000+ | 3.39 грн |
| 25000+ | 3.14 грн |
| 50000+ | 2.86 грн |
| 100000+ | 2.38 грн |
| BC847QAPNZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 455000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 3.82 грн |
| 10000+ | 3.39 грн |
| 25000+ | 3.14 грн |
| 50000+ | 2.86 грн |
| 100000+ | 2.38 грн |
| BC847QAPNZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 455000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 4.25 грн |
| 110000+ | 3.88 грн |
| 220000+ | 3.62 грн |
| 330000+ | 3.29 грн |
| BC847QAPNZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT
на замовлення 47757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC847QAPNZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847QAPNZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)