Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC848ALT1G за ціною від 1.13 грн до 13.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 52954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 43857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 22659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 43857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 113 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.24 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9741+ | 1.45 грн |
| 12000+ | 1.37 грн |
| 27000+ | 1.36 грн |
| 51000+ | 1.29 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22728+ | 1.56 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22728+ | 1.56 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22728+ | 1.56 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.85 грн |
| 6000+ | 1.58 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.98 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 348+ | 2.17 грн |
| 568+ | 1.33 грн |
| 667+ | 1.13 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.44 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5770+ | 2.45 грн |
| 6330+ | 2.23 грн |
| 9000+ | 1.79 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.51 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 43857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3449+ | 4.10 грн |
| 4588+ | 3.08 грн |
| 5120+ | 2.76 грн |
| 5245+ | 2.60 грн |
| 6000+ | 2.34 грн |
| 15000+ | 2.18 грн |
| 30000+ | 2.13 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 7.14 грн |
| 91+ | 4.56 грн |
| 120+ | 3.47 грн |
| 134+ | 3.10 грн |
| 200+ | 2.83 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 9.64 грн |
| 144+ | 5.62 грн |
| 220+ | 3.66 грн |
| 500+ | 2.44 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 22659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.07 грн |
| 50+ | 5.97 грн |
| 100+ | 3.64 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.17 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.37 грн |
| 50+ | 6.34 грн |
| 100+ | 3.38 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |
| 3000+ | 1.17 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 43857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 13.17 грн |
| 92+ | 8.28 грн |
| 149+ | 5.06 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| 3000+ | 2.25 грн |
| 6000+ | 2.00 грн |
| 9000+ | 1.87 грн |
| 15000+ | 1.72 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 10uF 25V 10% X5R 1210 (C3225X5R1E106K250AA /TDK Corporation) Код товару: 93930
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TDK
Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 11.00 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| 1000+ | 9.10 грн |
| 3,3nF 1000V X7R 10% 1206 (GRM42-6X7R332K1KVD500/T85-Murata) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 77046
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 1000 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 1000 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 1871 шт
- 798 шт - склад
- 136 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 460 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 477 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 6.90 грн |
| MAX3232CSE+T Код товару: 35767
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Maxim
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: SO-16
Характеристики: RS-232 Interface 235kbps Transceiver
Живлення: 3...5,5 V
Темп.діапазон: 0…70°C
Тип монтажу: SMD
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: SO-16
Характеристики: RS-232 Interface 235kbps Transceiver
Живлення: 3...5,5 V
Темп.діапазон: 0…70°C
Тип монтажу: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| 47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 18651
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2140 шт
- 1803 шт - склад
- 204 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 43 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10030 шт
- 30 шт - очікується
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 1000uF 50V ECR 13x26mm (ECR102M50BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2728
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 9 шт
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 2000 шт
- 2000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 11.20 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 1000+ | 9.00 грн |











