на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7813+ | 1.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848B-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC848B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC848B-7-F за ціною від 1.14 грн до 13.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 819000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 821634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR |
на замовлення 3883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
BC848B-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC848B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC848B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC848B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| BC848B-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Pulsed collector current: 0.2A Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |