BC848BHZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 200mW; SOT23-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23-3
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1737+ | 2.92 грн |
| 4000+ | 2.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
1737 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848BHZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC848BHZGT116 за ціною від 3.22 грн до 19.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC848BHZGT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC848BHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 327 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC848BHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 516 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1786 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC848BHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1852 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.88 грн |
| 37+ | 8.17 грн |
| 100+ | 5.05 грн |
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 15.60 грн |
| 82+ | 9.26 грн |
| 85+ | 8.70 грн |
| 132+ | 5.16 грн |
| 250+ | 4.23 грн |
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.11 грн |
| 28+ | 10.93 грн |
| 100+ | 5.85 грн |
| 500+ | 4.24 грн |
| 1000+ | 3.66 грн |
| 3000+ | 3.22 грн |
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848BHZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)