BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor


bc848bhzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+9.18 грн
139+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC848BHZGT116 за ціною від 2.60 грн до 12.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC848BHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC848BHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 ROHM bc848bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor bc848bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor bc848bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 ROHM bc848bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor bc848bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor bc848bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor bc848bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 datasheet?p=BC848BHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 datasheet?p=BC848BHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BHZGT116 bc848bhzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.