Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC848BLT1G за ціною від 1.17 грн до 28.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC848BLT1G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848bкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848BLT1G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848bкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 593112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 16033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 26117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 38433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 38433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | On Semiconductor |
NPN, Uкэ=30V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори |
на замовлення 11 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 593112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25424+ | 1.40 грн |
| 100000+ | 1.17 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.57 грн |
| 6000+ | 1.54 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.71 грн |
| 6000+ | 1.46 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7500+ | 1.89 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2768+ | 5.12 грн |
| 3837+ | 3.69 грн |
| 4386+ | 3.23 грн |
| 5682+ | 2.41 грн |
| 6411+ | 1.97 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 8.95 грн |
| 61+ | 6.81 грн |
| 71+ | 5.90 грн |
| 106+ | 3.96 грн |
| 127+ | 3.28 грн |
| 500+ | 2.24 грн |
| 1000+ | 1.94 грн |
| 2000+ | 1.72 грн |
| 3000+ | 1.61 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.32 грн |
| 55+ | 5.53 грн |
| 100+ | 3.37 грн |
| 500+ | 2.29 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 26117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.66 грн |
| 55+ | 5.87 грн |
| 100+ | 3.18 грн |
| 500+ | 2.35 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |
| 3000+ | 1.52 грн |
| 6000+ | 1.31 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 10.39 грн |
| 155+ | 5.20 грн |
| 203+ | 3.98 грн |
| 500+ | 2.86 грн |
| 1500+ | 1.95 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.39 грн |
| 155+ | 5.20 грн |
| 203+ | 3.98 грн |
| 500+ | 2.86 грн |
| 1500+ | 1.95 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 11.16 грн |
| 139+ | 5.46 грн |
| 177+ | 4.28 грн |
| 500+ | 2.99 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| 3000+ | 1.18 грн |
| 6000+ | 1.17 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=30V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
NPN, Uкэ=30V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 11 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.36 грн |








