BC848BWT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848BWT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції BC848BWT106 за ціною від 6.25 грн до 44.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC848BWT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC848BWT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848BWT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1MA |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC848BWT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC848BW T106 | Виробник : ROHM |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
