BC848BWT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15152+ | 0.92 грн |
| 21429+ | 0.65 грн |
| 23810+ | 0.58 грн |
| 31915+ | 0.42 грн |
| 33334+ | 0.37 грн |
| 36586+ | 0.33 грн |
| 37500+ | 0.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848BWT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC848BWT1G за ціною від 0.33 грн до 10.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 22755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 38180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 22755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar |
на замовлення 38800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 81450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 10045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 32070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |