BC848C Yangjie
Код товару: 160570
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Yangjie
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC848C за ціною від 0.43 грн до 7.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC848C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 310mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848C | TDSEMIC |
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848C | TDSEMIC |
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848C | SLKOR |
Transistor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SLKOR TBC848c SLKкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848C | REALCHIP |
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SOT23(T/R) REALCHIP TBC848c REAкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 300MW 420@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 12733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 310mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 19022 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 310mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848C | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC848C | Diodes INC. |
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BC848C |
BC848C Транзисторы |
на замовлення 103 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC848C |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 7.21 грн |
| 191+ | 4.33 грн |
| 228+ | 3.61 грн |
| 500+ | 2.68 грн |
| 1500+ | 2.16 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: TDSEMIC
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.43 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: TDSEMIC
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.43 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SLKOR TBC848c SLK
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SLKOR TBC848c SLK
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.58 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: REALCHIP
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SOT23(T/R) REALCHIP TBC848c REA
кількість в упаковці: 500 шт
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SOT23(T/R) REALCHIP TBC848c REA
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.60 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 300MW 420@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: 30V 300MW 420@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.90 грн |
| 6000+ | 0.76 грн |
| 9000+ | 0.71 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.84 грн |
| 9000+ | 1.20 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 2.70 грн |
| 350+ | 1.21 грн |
| 500+ | 1.09 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4762+ | 2.97 грн |
| 5860+ | 2.41 грн |
| 6608+ | 2.14 грн |
| 9000+ | 1.94 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 19022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 4.57 грн |
| 109+ | 3.90 грн |
| 125+ | 3.39 грн |
| 184+ | 2.32 грн |
| 500+ | 1.87 грн |
| 1000+ | 1.65 грн |
| 3000+ | 1.34 грн |
| 6000+ | 1.19 грн |
| 9000+ | 1.11 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 7.21 грн |
| 191+ | 4.33 грн |
| 228+ | 3.61 грн |
| 500+ | 2.68 грн |
| 1500+ | 2.16 грн |
| BC848C |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848C |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.78 грн |
З цим товаром купують
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7865 шт
6154 шт - склад
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
334 шт - РАДІОМАГ-Львів
928 шт - РАДІОМАГ-Харків
367 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
334 шт - РАДІОМАГ-Львів
928 шт - РАДІОМАГ-Харків
367 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung) Код товару: 48855
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 66442 шт
65483 шт - склад
492 шт - РАДІОМАГ-Київ
467 шт - РАДІОМАГ-Львів
492 шт - РАДІОМАГ-Київ
467 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| PIC16F1783-I/SO Код товару: 188546
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 180.00 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2210
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| VCR-14D391K (S14K250,TVR14391,GNR-14D391K) (варистор) Код товару: 2300
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 250/320 V
Uвар, V: 390(351...429) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 650@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 510 pF
Розмір: 14D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 250/320 V
Uвар, V: 390(351...429) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 650@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 510 pF
Розмір: 14D
у наявності: 1163 шт
1082 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |










