BC848CDW1T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.74 грн |
| 6000+ | 2.45 грн |
| 9000+ | 2.03 грн |
| 30000+ | 1.87 грн |
| 75000+ | 1.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CDW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Інші пропозиції BC848CDW1T1G за ціною від 1.79 грн до 19.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 104265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN |
на замовлення 22840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1174 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |