BC848CLT1G ON Semiconductor
на замовлення 412999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC848CLT1G за ціною від 0.66 грн до 10.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 238448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 516000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 116080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 516000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 58973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFEtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 95879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 7442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 42470
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 114674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 51162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 58973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFEtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 95879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC848CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 30V 225mW 100MHz BC848CLT1G BC848CE6327HTSA1 BC848CE6433HTMA1 BC848C RF BC848CMTF BC848C-7-F BC84 BC848C smd TBC848cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BC848CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 30V 225mW 100MHz BC848CLT1G BC848CE6327HTSA1 BC848CE6433HTMA1 BC848C RF BC848CMTF BC848C-7-F BC84 BC848C smd TBC848c |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |





