BC848CPDW1T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 10.96 грн |
| 67+ | 6.36 грн |
| 105+ | 4.06 грн |
| 500+ | 3.08 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CPDW1T1G ONSEMI
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції BC848CPDW1T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC848CPDW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual Complementary |
на замовлення 31270 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC848CPDW1T1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual Complementary
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual Complementary
на замовлення 31270 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)