BC848CWT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.33 грн |
| 6000+ | 2.00 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CWT1G onsemi
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC848CWT1G за ціною від 1.95 грн до 12.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 29209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 29209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848CWT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 37708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 48417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 280 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC848CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 48417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC848CWT1G | FAIRCHILD |
BC848CWT1G |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 2.69 грн |
| 389+ | 1.95 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.98 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4762+ | 2.98 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36000+ | 3.01 грн |
| 45000+ | 3.00 грн |
| 48000+ | 2.96 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36000+ | 3.03 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5063+ | 3.94 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 29209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3538+ | 4.01 грн |
| 3723+ | 3.81 грн |
| 3927+ | 3.61 грн |
| 4167+ | 3.28 грн |
| 6000+ | 2.86 грн |
| 15000+ | 2.58 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7634+ | 4.64 грн |
| 10000+ | 4.15 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7634+ | 4.64 грн |
| 10000+ | 4.15 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 29209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 7.36 грн |
| 170+ | 4.45 грн |
| 172+ | 4.40 грн |
| 180+ | 4.06 грн |
| 250+ | 3.58 грн |
| 500+ | 3.26 грн |
| 1000+ | 3.09 грн |
| 3000+ | 2.92 грн |
| 6000+ | 2.75 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.29 грн |
| 41+ | 7.32 грн |
| 100+ | 4.51 грн |
| 500+ | 3.08 грн |
| 1000+ | 2.71 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 12.39 грн |
| 48+ | 8.71 грн |
| 55+ | 7.48 грн |
| 100+ | 4.18 грн |
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 37708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
BC848CWT1G
BC848CWT1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7634+ | 4.64 грн |
| 10000+ | 4.15 грн |






