BC849B

BC849B KEXIN


TBC849B_c_KEXIN_0001.pdf
Виробник: KEXIN
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2880 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC849B KEXIN

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC849B за ціною від 0.95 грн до 8.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.97 грн
6000+1.74 грн
9000+1.60 грн
15000+1.41 грн
21000+1.21 грн
30000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7043+1.98 грн
8022+1.74 грн
9000+1.60 грн
15000+1.41 грн
21000+1.22 грн
30000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 7043
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY bc846.pdf BC849B%20SOT-23.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.48 грн
250+1.76 грн
500+1.05 грн
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.41 грн
105+4.02 грн
184+2.29 грн
500+1.65 грн
1000+1.44 грн
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf BC849B%20SOT-23.PDF Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
на замовлення 28508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+6.98 грн
77+4.16 грн
100+2.99 грн
500+2.36 грн
1000+2.09 грн
3000+1.53 грн
9000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.82 грн
67+4.52 грн
109+2.79 грн
500+1.88 грн
1000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. BC849B%20SOT-23.PDF Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.82 грн
66+4.60 грн
107+2.84 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+8.28 грн
166+4.90 грн
271+3.00 грн
500+2.00 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.28 грн
166+4.90 грн
271+3.00 грн
500+2.00 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC849-B Виробник : FSC
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Diotec Semiconductor bc846.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B Виробник : Diotec bc846.pdf BC849B%20SOT-23.PDF BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B BC849B Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. BC849B%20SOT-23.PDF Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.