BC849B Diotec Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC849B Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC849B за ціною від 0.67 грн до 9.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 615000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC849B | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC849B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC849B | Виробник : KEXIN |
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B c кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC849B | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
BC849B-YAN NPN SMD transistors |
на замовлення 9325 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC849B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
BC849B-DIO NPN SMD transistors |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC849-B | Виробник : FSC |
на замовлення 2221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BC849B | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BC849B | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC849B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC849B | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |