BC849C Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.37 грн |
| 6000+ | 1.17 грн |
| 9000+ | 1.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC849C Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC849C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC849C за ціною від 0.76 грн до 8.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...1000 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...1000 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 11659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 12649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
на замовлення 29777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12649 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC849C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC849C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC849C |
NPN 30V, 0.1A general purpose transistors SOT-23-3 |
на замовлення 259 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC849C | Виробник : NXP Semiconductors |
SOT23NPN30V.1A.2WB=420-800 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| BC849-C | Виробник : FSC |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
BC849C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |



