Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC849CLT1G
BC849CLT1G

BC849CLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1312+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 1312
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC849CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC849CLT1G за ціною від 0.71 грн до 8.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10274+1.18 грн
11812+1.03 грн
12397+0.98 грн
13044+0.90 грн
15000+0.79 грн
30000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 10274
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
6000+1.28 грн
9000+1.20 грн
15000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
6000+1.58 грн
9000+1.17 грн
24000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.82 грн
6000+1.64 грн
9000+1.30 грн
24000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
359+1.93 грн
593+1.17 грн
931+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 359
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5906+2.05 грн
9000+1.98 грн
27000+1.90 грн
51000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5906
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.34 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4546+2.66 грн
7426+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 4546
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+4.57 грн
242+2.86 грн
259+2.67 грн
395+1.69 грн
405+1.53 грн
548+1.08 грн
1000+0.94 грн
3000+0.90 грн
6000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.25 грн
85+4.65 грн
125+3.17 грн
149+2.65 грн
500+1.78 грн
861+1.07 грн
2368+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G
Код товару: 181271
Додати до обраних Обраний товар

bc846alt1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.36 грн
68+4.65 грн
112+2.84 грн
500+1.92 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 23059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.38 грн
68+5.13 грн
115+2.65 грн
500+1.97 грн
1000+1.66 грн
3000+1.36 грн
6000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.70 грн
51+5.79 грн
75+3.80 грн
100+3.19 грн
500+2.14 грн
861+1.29 грн
2368+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.91 грн
152+5.61 грн
243+3.49 грн
500+2.34 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.