BC849CLT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC849CLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC849CLT1G за ціною від 0.61 грн до 8.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 6417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6417 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 16900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 34300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 10961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 4156 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC849CLT1G Код товару: 181271 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|