Інші пропозиції BC849CLT1G за ціною від 0.66 грн до 8.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC849CLT1G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONSкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONSкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 49020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 46336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 46336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 21177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 658 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849CLT1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.17 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.17 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 445+ | 1.70 грн |
| 728+ | 1.04 грн |
| 920+ | 0.82 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 49020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 435+ | 1.73 грн |
| 715+ | 1.06 грн |
| 931+ | 0.81 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.80 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7854+ | 1.80 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7247+ | 1.95 грн |
| 7390+ | 1.91 грн |
| 7500+ | 1.89 грн |
| 15000+ | 1.78 грн |
| 30000+ | 1.62 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 351+ | 2.15 грн |
| 358+ | 2.11 грн |
| 362+ | 2.08 грн |
| 369+ | 1.97 грн |
| 374+ | 1.80 грн |
| 500+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
| 3000+ | 1.64 грн |
| 6000+ | 1.62 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3473+ | 4.07 грн |
| 4824+ | 2.93 грн |
| 5515+ | 2.56 грн |
| 8109+ | 1.68 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 7.75 грн |
| 65+ | 4.63 грн |
| 105+ | 2.84 грн |
| 500+ | 1.92 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 8.04 грн |
| 90+ | 4.64 грн |
| 139+ | 2.98 грн |
| 168+ | 2.48 грн |
| 500+ | 1.72 грн |
| 1000+ | 1.51 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 8.20 грн |
| 197+ | 4.08 грн |
| 258+ | 3.13 грн |
| 500+ | 2.24 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.20 грн |
| 197+ | 4.08 грн |
| 258+ | 3.13 грн |
| 500+ | 2.24 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 21177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 8.28 грн |
| 64+ | 4.99 грн |
| 103+ | 2.69 грн |
| 500+ | 1.93 грн |
| 1000+ | 1.86 грн |
| 3000+ | 1.52 грн |
| 6000+ | 1.31 грн |
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC849CLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.66 грн |







