Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC849CLT1G
BC849CLT1G

BC849CLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC849CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC849CLT1G за ціною від 0.53 грн до 8.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
523+1.16 грн
793+0.76 грн
1143+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.21 грн
6000+1.16 грн
9000+1.00 грн
15000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
6000+1.29 грн
9000+1.20 грн
15000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6788+1.80 грн
9000+1.37 грн
27000+1.35 грн
51000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 6788
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.19 грн
1500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3165+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3165
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+6.34 грн
144+4.20 грн
228+2.65 грн
500+1.83 грн
1000+1.25 грн
3000+0.84 грн
6000+0.82 грн
9000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.08 грн
109+3.53 грн
155+2.48 грн
176+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+7.55 грн
126+4.83 грн
199+3.05 грн
500+2.10 грн
1000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G
Код товару: 181271
Додати до обраних Обраний товар

bc846alt1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+7.75 грн
79+7.73 грн
100+7.44 грн
250+6.88 грн
500+6.59 грн
1000+6.58 грн
3000+6.57 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 17245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.96 грн
66+4.67 грн
108+2.84 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1_D-1387679.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 27936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.15 грн
61+5.58 грн
100+3.02 грн
500+2.13 грн
1000+1.54 грн
3000+1.25 грн
6000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+8.50 грн
66+4.39 грн
93+2.98 грн
106+2.62 грн
861+1.25 грн
2368+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.67 грн
152+5.44 грн
244+3.38 грн
500+2.19 грн
1500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.