
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850B,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC850B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC850B,215 за ціною від 0.80 грн до 12.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 63140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 63140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BC850B,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |