BC850B DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 4.52 грн |
| 122+ | 3.44 грн |
| 211+ | 2.00 грн |
| 500+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850B DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC850B за ціною від 0.91 грн до 8.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN |
на замовлення 8034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 45V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC850B |
NPN 45V, 0.1A, general purpose transistor SOT-23-3 |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200/450 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : KEC |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,35; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 200 @ 2 А, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
BC850B Код товару: 58678
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 45V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP |
товару немає в наявності |



