
BC850B Diotec Semiconductor
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850B Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC850B за ціною від 0.68 грн до 8.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B |
![]() ![]() |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Case: SOT23 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 4258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Case: SOT23 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BC850B | Виробник : KEC |
![]() ![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BC850B Код товару: 58678
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BC850B | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BC850B | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BC850B | Виробник : Nexperia |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |