BC850B Diotec Semiconductor
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850B Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC850B за ціною від 0.84 грн до 8.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 45V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 14124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN |
на замовлення 10521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC850B |
NPN 45V, 0.1A, general purpose transistor SOT-23-3 |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200/450 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : KEC |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,35; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 200 @ 2 А, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
BC850B Код товару: 58678
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 45V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC850B | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
BC850B | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC850B | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |






