BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11584+ | 2.66 грн |
| 100000+ | 2.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BC850BE6327HTSA1 за ціною від 2.23 грн до 3.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 53665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 508685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| BC850BE6327HTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC850BE6327HTSA1 - BC850 - LOW NOISE TRANSISTORtariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 224135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |
|||||||
|
BC850BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS |
товару немає в наявності |

