Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC850BLT1G за ціною від 0.94 грн до 9.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
 NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC850BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 7848 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC850BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 86110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC850BLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 13816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 43140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 43140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BC850BLT1G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, bipolar, 45V, 100mA, 225mW, SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |