Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BC850BLT1G

BC850BLT1G

bc846alt1-d.pdf
Код товару: 191751
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC850BLT1G за ціною від 0.95 грн до 9.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.49 грн
6000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 14848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.53 грн
132+3.19 грн
187+2.25 грн
218+1.93 грн
500+1.40 грн
1000+1.24 грн
3000+1.09 грн
6000+1.02 грн
9000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 86110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.86 грн
63+4.84 грн
103+2.96 грн
500+2.00 грн
1000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
на замовлення 13751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.39 грн
62+5.22 грн
100+2.79 грн
500+2.02 грн
1000+1.75 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.37 грн
148+5.52 грн
244+3.35 грн
500+2.24 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.37 грн
148+5.52 грн
244+3.35 грн
500+2.24 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G bc846alt1-d.pdf
BC850BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.49 грн
6000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC846ALT1G.PDF
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 14848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
100+4.53 грн
132+3.19 грн
187+2.25 грн
218+1.93 грн
500+1.40 грн
1000+1.24 грн
3000+1.09 грн
6000+1.02 грн
9000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G bc846alt1-d.pdf
BC850BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 86110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.86 грн
63+4.84 грн
103+2.96 грн
500+2.00 грн
1000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G bc846alt1-d.pdf
BC850BLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
на замовлення 13751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+8.39 грн
62+5.22 грн
100+2.79 грн
500+2.02 грн
1000+1.75 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G 2237008.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
87+9.37 грн
148+5.52 грн
244+3.35 грн
500+2.24 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G 2237008.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.37 грн
148+5.52 грн
244+3.35 грн
500+2.24 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.