BC850BLT1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC850BLT1G за ціною від 0.63 грн до 8.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 9250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 9250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 153512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 41135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BC850BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BC850BLT1G Код товару: 191751 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|