BC850BLT1G

BC850BLT1G ON Semiconductor


bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC850BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC850BLT1G за ціною від 0.87 грн до 10.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.32 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.10 грн
84+4.85 грн
97+4.21 грн
144+2.81 грн
173+2.35 грн
500+1.57 грн
1000+1.33 грн
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.32 грн
50+6.05 грн
58+5.05 грн
87+3.38 грн
104+2.81 грн
500+1.88 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+10.02 грн
154+5.67 грн
255+3.42 грн
500+2.32 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G
Код товару: 191751
Додати до обраних Обраний товар

bc846alt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.