Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BC850BLT1G

BC850BLT1G

BC846ALT1-D.PDF
Код товару: 191751
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC850BLT1G за ціною від 0.92 грн до 8.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ON-Semiconductor info-tbc850blt1.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.50 грн
6000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 14136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.32 грн
117+3.54 грн
164+2.52 грн
188+2.20 грн
250+1.87 грн
500+1.66 грн
1000+1.47 грн
1500+1.38 грн
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 64251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.47 грн
61+4.89 грн
100+2.99 грн
500+2.02 грн
1000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G info-tbc850blt1.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC846ALT1-D.PDF
BC850BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.50 грн
6000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC846ALT1G.PDF
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 14136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.32 грн
117+3.54 грн
164+2.52 грн
188+2.20 грн
250+1.87 грн
500+1.66 грн
1000+1.47 грн
1500+1.38 грн
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC846ALT1-D.PDF
BC850BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 64251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.47 грн
61+4.89 грн
100+2.99 грн
500+2.02 грн
1000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC846ALT1-D.PDF
BC850BLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G 2237008.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G 2237008.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.