BC850CLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 1.74 грн |
| 8197+ | 1.58 грн |
| 9741+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC850CLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC850CLT1G за ціною від 1.15 грн до 18.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 492000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 855013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 783013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 8502 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BC850CLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850C smd ONS TBC850c |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| BC850CLT1G | Виробник : On Semiconductor |
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
BC850CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |





