BC856,215 Nexperia
Виробник: Nexperia
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215; BC856 SOT23 NEXPERIA TBC856
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856,215 за ціною від 1.14 грн до 13.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 7045 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 1.68 грн |
| 9000+ | 1.56 грн |
| 15000+ | 1.43 грн |
| 21000+ | 1.30 грн |
| 30000+ | 1.14 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8427+ | 1.68 грн |
| 9037+ | 1.57 грн |
| 15000+ | 1.45 грн |
| 21000+ | 1.32 грн |
| 30000+ | 1.16 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.80 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.05 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3093+ | 6.68 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 7045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 12.53 грн |
| 63+ | 6.65 грн |
| 85+ | 4.90 грн |
| 114+ | 3.66 грн |
| 143+ | 2.92 грн |
| 500+ | 1.98 грн |
| 1000+ | 1.68 грн |
| 3000+ | 1.38 грн |
| 6000+ | 1.23 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 13.45 грн |
| 120+ | 6.75 грн |
| 139+ | 5.81 грн |
| 500+ | 4.05 грн |





