 
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 0.61 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856A,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025). 
Інші пропозиції BC856A,215 за ціною від 0.68 грн до 22.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BC856A,215 | Виробник : NEXPERIA |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2548 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 95530 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 154880 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 471000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 93000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 267000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 156000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia |  Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 267000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |  Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 153000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NEXPERIA |  Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7611 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |  Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 153229 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : Nexperia |  Bipolar Transistors - BJT SOT23   65V .1A PNP BJT | на замовлення 51938 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NEXPERIA |  Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7611 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NEXPERIA |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 13234 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BC856A,215 | Виробник : NEXPERIA |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13234 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
| BC856A,215 | Виробник : NXP |  Transistor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;  Substitute: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO; BC856A,215 TBC856a кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5900 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||
| BC856A,215 | Виробник : NEXPERIA |  Description: NEXPERIA - BC856A,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1089000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||
| BC856A,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |  Транзистор PNP; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 125 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 2779 шт:термін постачання 3 дні (днів) |