BC856AQC-QZ Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.54 грн |
| 4033+ | 3.52 грн |
| 5682+ | 2.49 грн |
| 7654+ | 1.79 грн |
| 9616+ | 1.32 грн |
| 10345+ | 1.17 грн |
| 15000+ | 0.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856AQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856AQC-QZ за ціною від 1.26 грн до 9.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856AQC-QZ | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 29700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856AQC-QZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
BC856AQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BC856AQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 450mW Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BC856AQC-QZ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2084 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC856AQC-QZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 9.13 грн |
| 138+ | 5.48 грн |
| 140+ | 5.42 грн |
| 141+ | 5.18 грн |
| 214+ | 3.16 грн |
| 250+ | 3.01 грн |
| 500+ | 2.14 грн |
| 1000+ | 1.59 грн |
| 3000+ | 1.26 грн |
| BC856AQC-QZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
Bipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC856AQC-QZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856AQC-QZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856AQC-QZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)