BC856AQC-QZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.56 грн |
| 500+ | 8.45 грн |
| 1000+ | 6.77 грн |
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Технічний опис BC856AQC-QZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856AQC-QZ за ціною від 3.18 грн до 34.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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BC856AQC-QZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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BC856AQC-QZ | NEXPERIA |
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на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BC856AQC-QZ |
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Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.87 грн |
| 25+ | 13.10 грн |
| 100+ | 6.97 грн |
| 500+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |
| 2500+ | 3.73 грн |
| 5000+ | 3.18 грн |
| BC856AQC-QZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
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на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 34.87 грн |
| 47+ | 17.24 грн |
| 100+ | 12.56 грн |
| 500+ | 8.45 грн |
| 1000+ | 6.77 грн |