Продукція > NEXPERIA > BC856AQCZ

BC856AQCZ NEXPERIA

Name: BC856AQCZ
Brand: NEXPERIA
SKU: 894794-6
Price: 1128.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	11.28 грн
500+	9.42 грн
1000+	8.42 грн
5000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BC856AQCZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC856AQCZ за ціною від 2.82 грн до 33.26 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BC856AQCZ

Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	14.76 грн
36+	8.53 грн
100+	5.26 грн
500+	3.61 грн
1000+	3.18 грн
2000+	2.82 грн

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

BC856AQCZ

Nexperia

Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT

на замовлення 9970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.71 грн
26+	12.46 грн
100+	8.01 грн
500+	6.90 грн
1000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

BC856AQCZ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.26 грн
53+	15.30 грн
100+	11.28 грн
500+	9.42 грн
1000+	8.42 грн
5000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

BC856AQCZ

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	14.76 грн
36+	8.53 грн
100+	5.26 грн
500+	3.61 грн
1000+	3.18 грн
2000+	2.82 грн

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

BC856AQCZ

Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT

на замовлення 9970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	27.71 грн
26+	12.46 грн
100+	8.01 грн
500+	6.90 грн
1000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

BC856AQCZ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	33.26 грн
53+	15.30 грн
100+	11.28 грн
500+	9.42 грн
1000+	8.42 грн
5000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.