BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.41 грн |
| 47+ | 6.75 грн |
| 100+ | 4.13 грн |
| 500+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції BC856B RFG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856B RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
|
BC856B RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
|
BC856B RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
|
|
|
BC856B RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT -80V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor |
товару немає в наявності |
