Продукція > NXP > BC856B/DG/B3235

BC856B/DG/B3235 NXP

PHGLS19373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - BC856B/DG/B3235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32051+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 32051
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856B/DG/B3235 NXP

Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 250 mW.

Інші пропозиції BC856B/DG/B3235

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856B/DG/B3235 BC856B/DG/B3235 Виробник : NXP USA Inc. PHGLS19373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.