BC856B-13-F

BC856B-13-F Diodes Zetex


ds11207.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856B-13-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC856B-13-F за ціною від 1.27 грн до 17.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856B-13-F BC856B-13-F Виробник : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.87 грн
30000+ 1.67 грн
50000+ 1.44 грн
100000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BC856B-13-F BC856B-13-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.5 грн
1000+ 2.18 грн
5000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC856B-13-F BC856B-13-F Виробник : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 267243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.72 грн
31+ 9.18 грн
100+ 4.96 грн
500+ 3.65 грн
1000+ 2.54 грн
2000+ 2.1 грн
5000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
BC856B-13-F BC856B-13-F Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
на замовлення 14544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.97 грн
29+ 10.83 грн
100+ 5.94 грн
1000+ 2.67 грн
2500+ 2.27 грн
10000+ 1.74 грн
20000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
BC856B-13-F BC856B-13-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+17.6 грн
63+ 11.98 грн
105+ 7.14 грн
500+ 4.5 грн
1000+ 2.18 грн
5000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 43
BC856B-13-F BC856B-13-F Виробник : Diodes Inc ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній