Продукція > DIODES INC. > BC856B-13-F
BC856B-13-F

BC856B-13-F DIODES INC.

DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.19 грн
144+5.71 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856B-13-F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC856B-13-F за ціною від 3.23 грн до 16.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856B-13-F BC856B-13-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856B-13-F BC856B-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.85 грн
90+9.19 грн
144+5.71 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC856B-13-F BC856B-13-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
на замовлення 49955 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
20+16.90 грн
33+10.03 грн
100+5.84 грн
500+4.22 грн
1000+3.66 грн
2500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC856B-13-F ds11207.pdf
BC856B-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856B-13-F DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC856B-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.85 грн
90+9.19 грн
144+5.71 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC856B-13-F ds11207.pdf
BC856B-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
на замовлення 49955 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.90 грн
33+10.03 грн
100+5.84 грн
500+4.22 грн
1000+3.66 грн
2500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.