на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856B-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856B-7-F за ціною від 1.06 грн до 18.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856B-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856B-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 3000pcs. |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 694 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR |
на замовлення 3128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC856B-7-F | Виробник : Diodes INC. |
Транзистор PNP; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; ft, МГц = 200; hFE = 220 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА; Р, Вт = 0,3; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 54214 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BC856B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BC856B-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC856B-13-F; BC856B-7-F TBC856B-7-F Diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC856B-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC856B-7-F | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |