Продукція > ONSEMI > BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G onsemi

BC856BDW1T1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.90 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 1.45 грн до 19.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4250+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.73 грн
6000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.51 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.51 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.51 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.44 грн
48+8.88 грн
100+5.29 грн
500+3.60 грн
621+1.53 грн
1707+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.88 грн
36+8.52 грн
100+5.28 грн
500+3.61 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.31 грн
100+5.05 грн
500+3.71 грн
1000+3.27 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.89 грн
69+11.34 грн
112+7.00 грн
500+5.01 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.49 грн
67+11.69 грн
112+6.97 грн
500+5.17 грн
1000+3.88 грн
3000+2.97 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.83 грн
100+19.08 грн
250+17.64 грн
500+16.90 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
735+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4250+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.73 грн
6000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.51 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.51 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.51 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.44 грн
48+8.88 грн
100+5.29 грн
500+3.60 грн
621+1.53 грн
1707+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.88 грн
36+8.52 грн
100+5.28 грн
500+3.61 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
34+9.31 грн
100+5.05 грн
500+3.71 грн
1000+3.27 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.89 грн
69+11.34 грн
112+7.00 грн
500+5.01 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+19.49 грн
67+11.69 грн
112+6.97 грн
500+5.17 грн
1000+3.88 грн
3000+2.97 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+19.83 грн
100+19.08 грн
250+17.64 грн
500+16.90 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
735+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.