Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ON Semiconductor

bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.50 грн
6000+1.48 грн
9000+1.45 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 1.07 грн до 14.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 223032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7538+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 7538
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7538+1.61 грн
7615+1.60 грн
9000+1.57 грн
15000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 7538
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1314000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.74 грн
6000+1.72 грн
9000+1.69 грн
15000+1.33 грн
21000+1.22 грн
30000+1.12 грн
75000+1.11 грн
150000+1.10 грн
300000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 56975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6977+1.74 грн
7043+1.73 грн
7076+1.66 грн
15000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 6977
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.95 грн
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4703+2.59 грн
9000+2.38 грн
27000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 4703
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
6000+2.33 грн
9000+2.19 грн
15000+1.90 грн
21000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.77 грн
1500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 56975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+4.48 грн
209+2.89 грн
211+2.86 грн
371+1.57 грн
373+1.45 грн
500+1.38 грн
6000+1.37 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 56975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2526+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 2526
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.33 грн
107+3.55 грн
115+3.31 грн
250+3.13 грн
394+2.26 грн
500+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+8.71 грн
145+5.63 грн
257+3.17 грн
500+2.77 грн
1500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.79 грн
64+4.43 грн
100+3.97 грн
250+3.76 грн
394+2.71 грн
500+2.47 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 99757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.89 грн
60+5.59 грн
100+3.05 грн
1000+2.39 грн
3000+1.74 грн
9000+1.60 грн
24000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.13 грн
38+8.01 грн
100+4.94 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G Виробник : ON-Semicoductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.