Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ON-Semiconductor

TBC856BDW1_0001.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 400 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 2.27 грн до 18.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.33 грн
10000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.33 грн
10000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2107+6.71 грн
2902+4.87 грн
3371+4.20 грн
4286+3.18 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
59+7.13 грн
87+4.85 грн
104+4.07 грн
500+2.84 грн
1000+2.50 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1287+10.99 грн
2095+6.75 грн
2880+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 1287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.23 грн
100+5.09 грн
500+3.49 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.33 грн
69+10.99 грн
112+6.75 грн
500+4.74 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.50 грн
69+10.99 грн
113+6.71 грн
500+4.70 грн
1000+3.75 грн
3000+2.83 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
755+18.75 грн
756+18.72 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.87 грн
41+18.83 грн
100+18.12 грн
250+16.74 грн
500+16.04 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 26787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.55 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.33 грн
10000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.33 грн
10000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2107+6.71 грн
2902+4.87 грн
3371+4.20 грн
4286+3.18 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
59+7.13 грн
87+4.85 грн
104+4.07 грн
500+2.84 грн
1000+2.50 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1287+10.99 грн
2095+6.75 грн
2880+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 1287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
37+8.23 грн
100+5.09 грн
500+3.49 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.33 грн
69+10.99 грн
112+6.75 грн
500+4.74 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+18.50 грн
69+10.99 грн
113+6.71 грн
500+4.70 грн
1000+3.75 грн
3000+2.83 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
755+18.75 грн
756+18.72 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.87 грн
41+18.83 грн
100+18.12 грн
250+16.74 грн
500+16.04 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 26787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.