BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ON Semiconductor


bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8621+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 8621
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 1.62 грн до 17.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6148+2.11 грн
9000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 6148
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14564+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 16693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14564+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
6000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.05 грн
9000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2058+6.32 грн
2825+4.60 грн
3334+3.90 грн
3948+3.17 грн
6000+2.51 грн
9000+2.40 грн
15000+1.95 грн
21000+1.92 грн
30000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 2058
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.10 грн
68+6.25 грн
98+4.33 грн
116+3.65 грн
500+2.47 грн
1000+2.14 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.58 грн
137+5.99 грн
500+4.08 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.43 грн
39+7.83 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 69752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.09 грн
39+8.32 грн
100+4.56 грн
500+3.30 грн
1000+2.88 грн
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+15.97 грн
86+9.58 грн
137+5.99 грн
500+4.08 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
776+16.75 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 776
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+17.75 грн
69+10.89 грн
110+6.77 грн
500+4.75 грн
1000+3.73 грн
3000+3.02 грн
6000+2.58 грн
9000+2.57 грн
15000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+17.98 грн
100+17.33 грн
250+16.03 грн
500+15.38 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G Виробник : ON-Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.