Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ON-Semiconductor

TBC856BDW1_0001.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 2.32 грн до 19.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.32 грн
10000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+5.32 грн
10000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2101+6.72 грн
2896+4.87 грн
3371+4.19 грн
4274+3.18 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
59+7.20 грн
87+4.89 грн
104+4.11 грн
500+2.87 грн
1000+2.52 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1306+10.81 грн
2119+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 1306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+10.90 грн
113+6.72 грн
500+4.87 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.82 грн
67+11.29 грн
113+6.72 грн
500+4.70 грн
1000+3.74 грн
3000+2.83 грн
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+19.08 грн
742+19.04 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.15 грн
100+18.43 грн
250+17.04 грн
500+16.32 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 25799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.32 грн
10000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+5.32 грн
10000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2101+6.72 грн
2896+4.87 грн
3371+4.19 грн
4274+3.18 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
59+7.20 грн
87+4.89 грн
104+4.11 грн
500+2.87 грн
1000+2.52 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1306+10.81 грн
2119+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 1306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+10.90 грн
113+6.72 грн
500+4.87 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.82 грн
67+11.29 грн
113+6.72 грн
500+4.70 грн
1000+3.74 грн
3000+2.83 грн
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
740+19.08 грн
742+19.04 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+19.15 грн
100+18.43 грн
250+17.04 грн
500+16.32 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 25799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 22640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.