BC856BDW1T3G

BC856BDW1T3G ON Semiconductor


bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14564+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T3G ON Semiconductor

Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції BC856BDW1T3G за ціною від 2.13 грн до 15.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14564+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.33 грн
20000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.98 грн
39+8.24 грн
100+5.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
2000+2.71 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 30665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.26 грн
39+9.01 грн
100+4.94 грн
500+3.57 грн
1000+2.81 грн
5000+2.43 грн
10000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002362529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.