Технічний опис BC856BDW1T3G ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції BC856BDW1T3G за ціною від 2.33 грн до 14.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BDW1T3G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BDW1T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BDW1T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BDW1T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC856BDW1T3G | onsemi |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 5051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC856BDW1T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP |
на замовлення 21369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 720798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14564+ | 2.43 грн |
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.63 грн |
| 20000+ | 2.57 грн |
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.99 грн |
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.01 грн |
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.08 грн |
| 37+ | 8.36 грн |
| 100+ | 5.19 грн |
| 500+ | 3.55 грн |
| 1000+ | 3.12 грн |
| 2000+ | 2.76 грн |
| 5000+ | 2.33 грн |
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 21369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC856BDW1T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)