BC856BHZGT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2698+ | 4.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC856BHZGT116 за ціною від 4.62 грн до 31.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.15A 350mW 3-Pin SST Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.15A 350mW 3-Pin SST Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC856BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.15A 350mW 3-Pin SST Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC856BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 65V 0.15A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.15A 350mW 3-Pin SST Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BC856BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 65V 0.15A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BC856BHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR |
товару немає в наявності |