Інші пропозиції BC856BHZGT116
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BHZGT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
BC856BHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
BC856BHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC856BHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR
Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC856BHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| CDRH127/LDNP-150MC (15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41273
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 15 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 5,65 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 15 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 5,65 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 730 шт
- 710 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 7.70 грн |
| DI115N06PQ Код товару: 221460
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 10uF 50V X7R 10% 1206 (CGA5L1X7R1H106K160AC) Код товару: 221531
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 510 Ohm 1% 1/8W 75V 0603 (RK73H1JTTD5100F) Код товару: 221532
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
очікується: 1310 шт
- 1310 шт - очікується
| BLE32SN120SN1L Код товару: 221528
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




