BC856BLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7353+ | 1.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7353 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856BLT1G за ціною від 0.94 грн до 780.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 65950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 65950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP |
на замовлення 462117 шт: термін постачання 395-404 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 35946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 132 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 35946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4793+ | 3.05 грн |
| 5515+ | 2.65 грн |
| 7937+ | 1.84 грн |
| 8153+ | 1.73 грн |
| 15000+ | 1.40 грн |
| 30000+ | 0.94 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3563+ | 4.10 грн |
| 9000+ | 2.64 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 11.66 грн |
| 107+ | 7.31 грн |
| 108+ | 7.24 грн |
| 174+ | 4.32 грн |
| 250+ | 3.96 грн |
| 500+ | 2.77 грн |
| 1000+ | 2.34 грн |
| 3000+ | 1.10 грн |
| 6000+ | 1.09 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1254+ | 11.66 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 462117 шт:
термін постачання 395-404 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.84 грн |
| 43+ | 7.26 грн |
| 100+ | 3.42 грн |
| 500+ | 2.30 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |
| 3000+ | 1.71 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: On Semiconductor
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 780.00 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.98 грн |
| BC856BLT1G |
|
BC856BLT1G Транзисторы
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
BC856BLT1G Транзисторы
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 4 дні (днів)