BC856BLT1G ON Semiconductor
на замовлення 174010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC856BLT1G за ціною від 0.66 грн до 5.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1086000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 861000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 56701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
| BC856BLT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 65; Ic = 0,1; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 220 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 3110 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |





