BC856BLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.05 грн |
| 6000+ | 1.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BLT1G за ціною від 0.84 грн до 312.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BC856BLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23 BC856BLT1G TBC856b ONS кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1722 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |