BC856BLT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BLT1G за ціною від 0.91 грн до 312.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC856BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP |
на замовлення 178348 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC856BLT1G | On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 132 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BC856BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4793+ | 2.95 грн |
| 5515+ | 2.56 грн |
| 7937+ | 1.78 грн |
| 8153+ | 1.67 грн |
| 15000+ | 1.36 грн |
| 30000+ | 0.91 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3563+ | 3.97 грн |
| 9000+ | 2.56 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 10.09 грн |
| 117+ | 6.49 грн |
| 139+ | 5.44 грн |
| 185+ | 3.95 грн |
| 250+ | 3.39 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 178348 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.55 грн |
| 48+ | 6.73 грн |
| 100+ | 3.17 грн |
| 500+ | 2.14 грн |
| 1000+ | 1.86 грн |
| 3000+ | 1.58 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: On Semiconductor
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 312.00 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.98 грн |
| BC856BLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 9.64 грн |
| 157+ | 5.14 грн |
| 257+ | 3.13 грн |
| 500+ | 2.24 грн |
| 1500+ | 1.85 грн |
| BC856BLT1G |
|
BC856BLT1G Транзисторы
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| BC856BLT1G |
|
BC856BLT1G Транзисторы
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 4 дні (днів)